В начале текущей недели компания Samsung доложила об успешном завершении разработки новых LPDDR4 чипов оперативной памяти (low power double data rate 4), ориентированных на применение в мобильных устройствах. Особенностью новых DRAM стала ширина полосы пропускания в 8 гигабит, а также использование 20 нм норм технологического процесса, при этом на каждую микросхему приходится емкость в 1 Гбайт, что позволило установить новый рекорд в плотности размещения компонентов. Благодаря применению технологии Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) данные по интерфейсу ввода-вывода смогут передаваться со скоростью 3200 Мбит /сек, что вдвое превышает скорость работы чипов LPDDR3 (20 нм). Более того производительность новых чипов окажется на 50 процентов выше, чем в DDR3 а потребление энергии при питании в 11 В сократится до 40 процентов. По сведениям разработчиков с Samsung новые чипы смогут установить новую планку в уровне производительности и энергоэффективности. При этом производитель планирует объединять микросхемы в модуле LPDDR4 суммарной емкостью 4 Гб, что позволяет надеяться на появление устройств с таким объемом оперативной памяти уже в будущем году.


Новости, Android, Samsung, создали, высокоскоростные, DDR4, модули, для, будущих, флагманских, устройств