Сегодня Samsung официально презентовала первый в мире модуль памяти LPDDR4 на 8 Гб, который найдет свое применение в топовых смартфонах, и портативных устройствах малых форм-факторов. Новая микросхема изготавливается по нормам 10-нанометрового техпроцесса и в своей структуре объединила 4 чипа памяти объемом 2 Гб каждый. Габариты модуля составили 15х15х1,0 мм, что позволит использовать их при изготовлении тонких устройств.

Модуль памяти Samsung предлагает скорость работы 4266 Мбит/с, что вдвое больше, чем демонстрируют микросхемы для персональных компьютеров с 2133 Мбит/с в пересчете скорости одного разряда шины. Применяемый с 64-разрядными чипами модуль объемом 8 Гб обеспечит высокую пропускную способность и позволит достигнуть скорости передачи данных 34 Гб/с. Это должно дать необходимый прирост быстродействия при воспроизведении 4К-контента и работе с устройствами дополненной реальности. По заявлению создателей новый модуль показывает отличную энергоэффективность и его работу обеспечивает такой же объем энергии, который нужен для функционирования модуля объемом 4 Гб. О том, когда появятся на рынке первые продукты, оснащенные 8 Гб модулем памяти, не сообщается. Есть лишь предположение, что дебютирует он в Samsung Galaxy S8.


Samsung, анонсировала, модуль, оперативной, памяти, объемом, для, мобильных, гаджетов